原位MEMS氣體/液體樣品桿系列

產(chǎn)品介紹

在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿加裝上下兩片氣體/液體芯片形成反應(yīng)微腔，配合氣體/液體控制系統(tǒng)以及選配加熱/電學(xué)控制系統(tǒng)，并可對單個納米結(jié)構(gòu)進行氣體/液體環(huán)境內(nèi)的原位測量，該系統(tǒng)配備的加熱/電學(xué)模塊可使用戶在電鏡中構(gòu)筑氣氛/液體環(huán)境的同時開展加熱/電學(xué)實驗。

產(chǎn)品特色

氣氛加熱/液體電化學(xué)測量系統(tǒng)：

該系統(tǒng)可在透射電子顯微鏡中實現(xiàn)高溫氣氛環(huán)境(最高1 Bar & 800 ℃)或液體光環(huán)境觀測條件，使研究者可以在微觀尺度實時觀測催化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長/合成以及各類腐蝕反應(yīng)，將您的透射電鏡從一臺靜態(tài)成像工具升級為一套功能強大的納米實驗室。

1.氣氛加熱指標(biāo)                                                                         2.氣體流動指標(biāo)

溫度范圍:室溫至800 ℃                                                             三通道混氣

控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于 ± 0.1 ℃                                                          氣壓范圍:0-1 bar

可通氣體:H2,N2,O2,He,Ar,CO,CO2,CxHy等

3.MEMS反應(yīng)微腔指標(biāo)                                                              4.液體電化學(xué)指標(biāo)

超薄氮化硅膜窗口                                                                     電壓輸出最大: ± 200 V，最小 ± 5 μV

樣品漂移:優(yōu)于 0.7 nm/min                                                       電流測量最大: ± 1.5 A，最小 ± 100 fA

可選流動液體芯片、靜態(tài)液體芯片、液體光學(xué)芯片                     恒壓或者恒流模式

芯片可定制                                                                               I-V測量、I-t測量，自動保存

應(yīng)用案例

銅納米顆粒在不同氫氧比和溫度條件下的結(jié)構(gòu)變化和動

2V 電壓下銀離子聚合體遷

部分產(chǎn)品精選

原位氣氛加熱測量系統(tǒng)、原位液體電化學(xué)測量系統(tǒng)、定制原位液體/氣體測量系統(tǒng)、

原位液體通光測量系統(tǒng)、原位封閉式電化學(xué)測量系統(tǒng)